一、ESD主要參數(shù)說明：

    ESD靜電抑制器的伏安特性曲線與TVS類似，與TVS不同的是，ESD靜電抑制器功率較小，工作電壓也較低，ESD靜電抑制器的工作電壓根據(jù)被保護(hù)芯片的工作電壓來設(shè)計。

    VRWM：反向截止電壓，即ESD靜電抑制器允許施加的最大工作電壓，在該電壓下ESD處于截止?fàn)顟B(tài)，ESD靜電抑制器的漏電流很小，可以達(dá)到10納安左右。

    IR：反向漏電流，即在ESD靜電抑制器兩端施加VRWM電壓下測得ESD靜電抑制器的漏電流。

    VBR：擊穿電壓，擊穿電壓是ESD靜電抑制器要開始動作（雪崩擊穿）的電壓，一般在規(guī)定的電流下測量，通常在大小為1mA的電流下測量。

    IPP：峰值脈沖電流，ESD靜電抑制器一般采用8/20μs的波形測量。

    VC：鉗位電壓，在給定大小的IPP下測得ESD靜電抑制器兩端的電壓。

    Cj：PN結(jié)的結(jié)電容，會影響數(shù)據(jù)傳輸，高頻信號選取ESD靜電抑制器時，一定要考慮Cj對信號的影響。

二、ESD靜電抑制器主要特點(diǎn)：

    1、ESD靜電抑制器是一種 鉗位型 過壓保護(hù)器件，用于靜電防護(hù)及一些較低浪涌的防護(hù)；

    2、 ESD靜電抑制器電壓根據(jù)被保護(hù)IC 的工作電壓設(shè)計，如2.5V、2.8V、3.3V、5V、8V、12V、15V、24V、36V等；

    3、 電容低，目前最小可做到0.17pF，滿足10GMbps高速應(yīng)用，不影響數(shù)據(jù)通信質(zhì)量；

    4、封裝小型化，封裝形式多樣化。